當(dāng)面對(duì)一項(xiàng)工程的時(shí)候，工程師應(yīng)如何確定建設(shè)屏蔽的還是非屏蔽的布線系統(tǒng)。對(duì)于公安、銀行等保密性強(qiáng)的單位可建設(shè)屏蔽的局域網(wǎng)，因?yàn)橛幸韵乱蛩氐挠绊懀?/p>
(1)干擾
電境和設(shè)備通常會(huì)干擾其他的部件，或者被其他干擾源所影響，從而破壞數(shù)據(jù)的傳輸。嚴(yán)重時(shí)，干擾甚至?xí)䦟?dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)完全癱瘓。
根據(jù)PREN 50174規(guī)定，一些干擾源列舉如下：
·功率分配。
·熒光燈照明。
·無(wú)線電傳送設(shè)備(無(wú)線電話、無(wú)線電臺(tái)、電視)。
·UTP對(duì)UTP電纜。
·辦公設(shè)備(復(fù)印機(jī)、打印機(jī)、電腦、碎紙機(jī))。
·雷達(dá)。
·工業(yè)機(jī)器(發(fā)動(dòng)機(jī)等)。
線纜絞臺(tái)只能保護(hù)電纜不被磁場(chǎng)干擾，但不能使其不被電場(chǎng)干擾。然而，許多干擾源發(fā)射的是電場(chǎng)或電磁場(chǎng)(輻射場(chǎng))，因此，只有屏蔽才能使網(wǎng)絡(luò)免受所有干擾源影響。
對(duì)于高于10Mbps和10MHz的高速率、高頻率應(yīng)用，數(shù)據(jù)傳輸越靈敏，屏蔽性就變得越重要。機(jī)械地限制絞合長(zhǎng)度會(huì)使絞合的效果減弱，絞合僅能有效地適應(yīng)30～40MHz的數(shù)據(jù)傳輸。
由于安裝過(guò)程中對(duì)電纜的拉力和其他類似彎曲半徑等因素的影響，會(huì)使UTP的均衡絞度遭到破壞。然而，屏蔽可以補(bǔ)償這種影響，它可以被看作是一種電磁和機(jī)械保護(hù)。
(2)竊聽(tīng)
潛在的竊聽(tīng)者、騙子和程序狂在不斷增加。他們可以攔截UTP線纜上傳輸?shù)男畔�，從而引起�?yán)重的破壞和損失。使用了屏蔽線纜及元件的屏蔽網(wǎng)絡(luò)則可以明顯地降低周圍環(huán)境中的電磁能發(fā)射水平。
如果沒(méi)有物理連接，而只將UTP線纜當(dāng)作傳送天線時(shí)，UTP線纜是很容易被攔截的。屏蔽雙絞線(STP)則由于它較低的散射而很難被攔截。在大多數(shù)不被保護(hù)狀態(tài)下，竊聽(tīng)者只需要一部雷達(dá)接收器、電子信號(hào)發(fā)生器和一臺(tái)便攜式計(jì)算機(jī)，在幾百米距離內(nèi)，就可以進(jìn)行數(shù)據(jù)攔截。
加密和解密是保護(hù)網(wǎng)絡(luò)的另一種解決方式，但它需要較大的網(wǎng)絡(luò)發(fā)射功率，且其配套軟硬件配置非常昂貴。選擇加密的花費(fèi)將比一開(kāi)始就安裝屏蔽電纜高很多。不鋪設(shè)屏蔽電纜，這種不安全感將會(huì)一直存在。
與非屏蔽電纜相比，屏蔽電纜由于其較低的輻射而保護(hù)網(wǎng)絡(luò)免受竊聽(tīng)。從發(fā)射保密性的角度來(lái)說(shuō)，電纜的屏蔽應(yīng)是首要選擇，在個(gè)別情況下，加密可作為輔助措施使用(比如用于軍事應(yīng)用)。
(3)屏蔽系統(tǒng)的實(shí)施
根據(jù)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ISO 11801，屏蔽必須是從傳送器到接收器的壘程屏蔽。機(jī)房屏蔽、安裝電纜、信息插座和連接插頭都必須屏蔽。包括工作區(qū)和設(shè)備電纜(連接電纜)等在內(nèi)的所有元件都應(yīng)仔細(xì)挑選、正確安裝和連接，并且要保證整個(gè)屏蔽系統(tǒng)在電氣性能上的整體連接，具有良好、可靠的接地，不能有任何斷裂處，否則斷裂部分會(huì)造成天線效應(yīng)，不但不能屏蔽，反而效果更壞。
(4)屏蔽原理
單獨(dú)的絞合線對(duì)或4線對(duì)組可以有一個(gè)金屬屏蔽層。不同的線對(duì)或4線對(duì)組可以在金屬屏蔽后置于一起。屏蔽旨在增加與電磁化外界的間距。就屏蔽本身而言，它可將線對(duì)或4線對(duì)組自身之間的串?dāng)_減少到最低程度。這些將根據(jù)集膚反應(yīng)由反射和吸收完成。
·反射：金屬屏蔽能夠有效地反射來(lái)自內(nèi)外界的大量入射場(chǎng)。
·集膚效應(yīng)：在一定的頻率下，屏蔽能夠在需要的信息與外界干擾之間提供近乎完美的間距。集膚效應(yīng)保證了干擾電流只在屏蔽層外通過(guò)，因?yàn)樗荒芡高^(guò)屏蔽層并有一段短的 距離(集膚深度)。上述間距的頻率取決于屏蔽層的材料和厚度。
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